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[发明专利]一种晶圆背面的检测方法、检测设备及其应用-CN201811095324.2在审
发明人：罗肖飞 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆背面的检测方法、检测设备及其应用，其中，检测设备包括晶圆背面检测装置、边缘区域吸盘及中心区域吸盘；晶圆背面检测装置位于晶圆背面下方与晶圆平行设置；边缘区域吸盘用于吸附晶圆背面边缘区域，并显露晶圆背面中心区域；中心区域吸盘用于吸附晶圆背面中心区域，且中心区域吸盘的水平截面不大于晶圆背面中心区域。晶圆背面的检测方法通过边缘区域吸盘、中心区域吸盘分别吸附晶圆背面的边缘区域及中心区域，并通过晶圆背面检测装置检测晶圆背面边缘区域及中心区域的形貌。可获得晶圆背面的具体形貌，准确的判断晶圆背面的杂质的位置及大小，降低生产成本、提高生产效率、节约人力资源及提高产品质量。
一种背面检测方法设备及其应用

[发明专利]晶圆校准装置及应用其的光刻机-CN201811098449.0有效
发明人：张成安;魏纯;肖乐 -专利权人：矽电半导体设备（深圳）股份有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆校准技术领域，更具体地说，它涉及一种晶圆校准装置及应用其的光刻机，其技术方案要点是：一种晶圆校准装置，其包括机架，所述机架上设有承载台、晶圆中心校准装置和晶圆平边校准装置；所述承载台，用于承载晶圆；所述晶圆中心校准装置，用于对承载台上晶圆的中心进行校准；所述晶圆平边校准装置，用于对承载台上晶圆的平边进行校准。根据本发明提供的技术方案，晶圆中心校准装置可以对承载台上晶圆的中心进行校准,晶圆平边校准装置可以对承载台上晶圆的平边进行校准,晶圆中心校准装置和晶圆平边校准装置两者配合,可以实现对晶圆的中心和平边均进行校准,可满足晶圆的准确定位和高效生产。
校准装置应用光刻

[发明专利]一种用于将晶圆中心与晶圆平台中心校正的装置以及方法-CN202211565230.3在审
发明人：罗正勇;金補哲 -专利权人：盛吉盛半导体技术（上海）有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于将晶圆中心与晶圆平台中心校正的装置以及方法，该装置包括底座、透明盖板、相机、计算模块以及机械臂，在底座上设置有多个通孔，通孔内设置有透明盖板，相机设置于透明盖板的上方，相机与计算模块连接，用于监测晶圆的中心与晶圆平台的中心的相对位置并传输至计算模块，计算模块用于根据晶圆的中心与晶圆平台的中心的相对位置计算偏移量，计算模块还与机械臂连接，用于将偏移量传输至机械臂，机械臂用于根据偏移量调整晶圆，以使得晶圆的中心与晶圆平台的中心重合。本发明能够使得晶圆中心与晶圆平台中心重合，降低误差。
一种用于将晶圆中心平台校正装置以及方法

[发明专利]一种晶圆键合方法、控制单元和系统-CN201811512166.6有效
发明人：刘洋 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶圆键合方法，在第一晶圆和第二晶圆键合在一起之前，能够移动装载在卡盘上的顶针，从而使该顶针位于第一晶圆中心位置，因此，在第一晶圆和第二晶圆键合过程中，顶针作用于第一晶圆的作用点为第一晶圆的中心位置，如此，第一晶圆的形变量关于第一晶圆的中心对称，而不会出现关于晶圆中心对称的位置处的形变量不同的情况，因而，有利于提高晶圆键合对准精度。而且，因顶针作用于第一晶圆的作用点为第一晶圆的中心位置，所以，键合波是从晶圆中心向晶圆边缘扩散，如此，也不会出现晶圆中心对称位置处的作用力不同的情况，因而，不会恶化晶圆边缘区域的扭曲度。此外，本申请还提供了一种晶圆键合控制单元和系统。
一种晶圆键合方法控制单元系统

[发明专利]真空溅射镀膜机台的晶圆传送方法及传送装置、存储介质-CN202311100788.9在审
发明人：张小舟;胡彬彬;顾云;吴青山 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-08-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种真空溅射镀膜机台的晶圆传送方法及传送装置、存储介质，晶圆传送方法应用于晶圆传送装置，晶圆传送装置包括机械手，机械手具有中心线；晶圆传送方法包括：控制机械手夹持第一晶圆和第二晶圆，并使第一晶圆和第二晶圆各自到机械手的中心线的距离相同，且第一晶圆和第二晶圆在平行中心线的方向上的位置不同；控制机械手驱使第一晶圆和第二晶圆均围绕中心线转动，并使第一晶圆和第二晶圆在平行中心线的方向上无交叠。本发明通过控制使机械手夹持的两片晶圆在平行机械手中心线的方向上无交叠，来避免其中一片晶圆的夹持结构掉落颗粒物到另一片晶圆的表面，以保证晶圆的洁净度。
真空溅射镀膜机台传送方法装置存储介质

[发明专利]半导体晶圆的刷洗装置和刷洗方法-CN201410352938.X有效
发明人：秦海燕;李儒兴;石强 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-07-23 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： B08B1/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶圆的刷洗装置与刷洗方法。半导体晶圆的刷洗装置中，清洗刷与半导体晶圆的旋转中心相接触，且清洗刷的轴线在半导体晶圆上的投影位于非贯穿所述旋转中心的位置处。清洗刷与半导体晶圆的旋转中心相接触，可以在半导体晶圆清洗过程中，避免半导体晶圆中心被遗漏；清洗刷的轴线在半导体晶圆上的投影位于非贯穿所述旋转中心的位置处，避免使得所述半导体晶圆的旋转中心始终位于受压最大的位置处，同时提高半导体晶圆的旋转中心的散热速度，从而可以减少半导体晶圆旋转中心比其他部分产生更高的热量的问题，进而避免在半导体晶圆待刷洗表面的中心位置形成厚度过大氧化层造成半导体晶圆局部被过度氧化的缺陷。
半导体刷洗装置方法

[实用新型]一种用于检测晶圆背面的形貌的检测设备-CN201821535715.7有效
发明人：罗肖飞 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： G01B11/30 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于检测晶圆背面的形貌的检测设备，其中，检测设备包括晶圆背面检测装置、边缘区域吸盘及中心区域吸盘；晶圆背面检测装置位于晶圆背面下方与晶圆平行设置；边缘区域吸盘用于吸附晶圆背面边缘区域，并显露晶圆背面中心区域；中心区域吸盘用于吸附晶圆背面中心区域，且中心区域吸盘的水平截面不大于晶圆背面中心区域。可获得晶圆背面的具体形貌，准确的判断晶圆背面的杂质的位置及大小，降低生产成本、提高生产效率、节约人力资源及提高产品质量。
晶圆背面中心区域吸盘晶圆形貌边缘区域检测设备检测装置吸附本实用新型平行设置人力资源生产效率水平截面检测显露节约

[发明专利]半导体工艺设备及其晶圆传输系统-CN202110718514.0有效
发明人：赵东华;斯迎军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆传输系统，包括晶圆托盘、晶圆分离组件，晶圆托盘包括托盘本体和中心托盘，托盘本体的中心形成有沿厚度方向贯穿托盘本体的托盘孔，中心托盘设置在托盘孔中，搭接在托盘本体上；晶圆分离组件包括托盘支撑机构、顶升机构，托盘支撑机构用于支撑托盘本体，顶升机构用于顶起托盘孔中的中心托盘，以及将中心托盘放回托盘孔中。在本发明中，晶圆分离组件的顶升机构可驱动中心托盘升降，以使中心托盘顶起晶圆托盘上的晶圆或将晶圆放下，托盘本体可在中心托盘及升降的过程中保持静止，从而可以在不影响晶圆托盘位置精度的同时进行晶圆取放，提高了晶圆取放精度和半导体工艺效率
半导体工艺设备及其传输系统

[发明专利]晶圆研磨方法、晶圆研磨系统和晶圆片-CN202211504161.5在审
发明人：黄末;陈俊宏 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆研磨方法、晶圆研磨系统和晶圆片，晶圆研磨方法包括以下步骤：S1、研磨轮的中心轴线和晶圆的中心轴线平行设置，研磨轮的轴向一侧具有研磨面，晶圆的轴线一侧具有待研磨面；S2、研磨轮绕其中心轴线转动，晶圆和研磨轮中的其中一个相对于另一个沿预设路径直线移动，研磨面对待研磨面进行研磨，以使晶圆的研磨痕迹包括多个沿晶圆的径向依次布置的弧线，其中，研磨轮的中心位于研磨轮的中心轴线上，晶圆的中心位于晶圆的中心轴线上，预设路径与研磨轮的中心轴线垂直。根据本发明的晶圆研磨方法，可以降低研磨痕迹对晶圆片缺陷检测的干扰。
研磨方法系统晶圆片

[实用新型]一种晶圆调整设备-CN202223282590.0有效
发明人：罗正勇;金補哲 -专利权人：盛吉盛半导体技术（上海）有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶圆调整设备，该设备包括底座、透明盖板、相机、计算模块以及机械臂，底座设置于腔体的上方，在底座上设置有多个通孔，通孔内设置有透明盖板，相机设置于透明盖板的上方，相机与计算模块连接，用于监测晶圆的中心与晶圆平台的中心的相对位置并传输至计算模块，计算模块用于根据晶圆的中心与晶圆平台的中心的相对位置计算偏移量，计算模块还与机械臂连接，用于将偏移量传输至机械臂，机械臂用于根据偏移量调整晶圆，以使得晶圆的中心与晶圆平台的中心重合。本实用新型能够使得晶圆中心与晶圆平台中心重合，降低误差。
一种调整设备

[发明专利]晶圆对准方法以及使用该方法的对准设备-CN201680066029.7在审
发明人：李枓锡;金秀永;郑成钒;文济皓 -专利权人： EO科技股份有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：一种晶圆对准方法及使用该方法的对准设备，晶圆对准方法包含如下步骤：在设定有X轴及y轴的平台上安装包含用以实现对准的凹口(notch)的晶圆的步骤；在拍摄晶圆的第1影像后，使晶圆旋转180，然后拍摄晶圆的第2影像的步骤；比较第1影像与第2影像而使晶圆的中心移动至平台的x轴上的步骤；在拍摄晶圆的第3影像后，使晶圆旋转180度，然后拍摄晶圆的第4影像的步骤；比较第3影像与第4影像，使晶圆的中心移动至平台的y轴上而使晶圆的中心与平台的中心一致的步骤；及使晶圆旋转而使通过凹口的晶圆的中心线与平台的对准线一致的步骤。
晶圆影像对准拍摄对准设备中心移动凹口对准线种晶

[发明专利]晶圆识别码的监测方法以及监测结构-CN201710160231.2有效
发明人：毕强;孙强;陈思安 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种晶圆识别码的监测方法以及监测结构，监测方法包括：提供具有外围区域的晶圆，所述晶圆外围区域的边缘具有缺口，且所述外围区域还包括晶圆识别码区以及监测区，其中，所述监测区位于所述缺口与所述晶圆识别码区之间，所述晶圆识别码区的中心线、所述监测区的中心线以及所述缺口的中心线相重合；在所述晶圆识别码区的晶圆上生成晶圆识别码；在所述监测区的晶圆上生成监测识别码，且所述监测识别码的中心线与所述晶圆识别码的中心线相重合；监测所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线是否重合，判断生成的所述晶圆识别码是否发生偏移。本发明能够监测生成的晶圆识别码是否发生偏移以及获取晶圆识别码发生偏移的量。
识别码监测方法以及结构

[发明专利]晶圆载盘以及金属有机化学气相沉积设备-CN201711135837.7有效
发明人：王信介;赖彦霖;吴俊德;严千智 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆载盘，其包括旋转轴心、中心平整区、晶圆设置区以及多个晶圆容置槽。旋转轴心穿过中心平整区的中心。晶圆设置区环绕中心平整区。多个晶圆容置槽设置于晶圆设置区。每一晶圆容置槽的直径为D，且中心平整区的半径为0.5D～3D。中心平整区的表面是平坦的平面。另提供一种晶圆载盘及使用上述两种晶圆载盘的任一种的金属有机化学气相沉积设备。
晶圆载盘以及金属有机化学沉积设备

[发明专利]晶圆清洗方法-CN201911047854.4在审
发明人：孙兴 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆清洗方法，包括：将一晶圆置于旋转台上并进行旋转；向所述晶圆的边缘位置喷射清洗液，并且每经过一设定时间，调整所述清洗液的喷射方向与所述晶圆的中心轴之间的角度。通过先向所述晶圆的中心位置喷射清洗液，使得晶圆中心位置的颗粒等污染物朝晶圆的边缘位置运动，然后向所述晶圆的边缘位置喷射清洗液，并调整清洗液的喷射方向与晶圆的中心轴之间的角度，实现对晶圆边缘位置的多次清洗以及对晶圆边缘位置的定点清洗，使得清洗效果更佳，晶圆表面的颗粒等污染物更少。本发明提供的晶圆清洗方法能够增强对晶圆边缘的清洗能力，减少晶圆表面的缺陷，从而提高晶圆的良率。
晶圆清洗液边缘位置晶圆边缘喷射清洗晶圆表面喷射方向中心轴污染物晶圆清洗晶圆中心清洗能力清洗效果良率种晶

[发明专利]晶圆以及晶圆的处理方法-CN202110786739.X有效
发明人：马姣 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种晶圆以及晶圆的处理方法，涉及半导体技术领域，该晶圆处理方法包括：提供待研磨晶圆，待研磨晶圆包括中心区域以及围绕所述中心区域的边缘区域；将待研磨晶圆固定在夹具上，使得待研磨晶圆呈弯曲状，且待研磨晶圆的中心区域朝向所述夹具弯曲；将弯曲状的待研磨晶圆放置在研磨垫上，利用研磨液以研磨去除待研磨晶圆的边缘区域的表面部分；调整夹具的设置，使得待研磨晶圆呈平直状；利用研磨垫对待研磨晶圆的中心区域进行研磨本申请实施例通过对待研磨晶圆的边缘区域进行预研磨，可以将待研磨晶圆的边缘区域的杂质清理掉，防止该杂质脱落刮伤晶圆，提高了晶圆上芯片的制作良率。
以及处理方法

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